CMOS圖像傳感器與CCD圖像傳感器的比較

①成像過程

CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號和時(shí)鐘信號的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個(gè)電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號，電路簡單，讀出速率高。

②集成度

采用特殊技術(shù)的CCD讀出電路比較復(fù)雜，很難將A/D轉(zhuǎn)換、信號處理、自動(dòng)增益控制、精密放大和存儲(chǔ)功能集成到一塊芯片上，一般需要 3～8 個(gè)芯片組合實(shí)現(xiàn)，同時(shí)還需要一個(gè)多通道非標(biāo)準(zhǔn)供電電壓。

借助于大規(guī)模集成制造工藝，CMOS圖像傳感器能非常容易地把上述功能集成到單一芯片上，多數(shù)CMOS圖像傳感器同時(shí)具有模擬和數(shù)字輸出信號。

③電源、功耗和體積

CCD 需多種電源供電，功耗較大，體積也比較大。CMOS 只需一個(gè)單電源（3V~5 V）供電，其功耗相當(dāng)于 CCD 的1/10，高度集成CMOS 芯片可以做的相當(dāng)小。

④性能指標(biāo)

韓國NIP千兆以太網(wǎng)相機(jī)

產(chǎn)品應(yīng)用

①機(jī)器視覺；

②科學(xué)研究；

③半導(dǎo)體；

④產(chǎn)線制造流程的分類、檢測；

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參數(shù)表