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光侵入式室溫型HgCdTe探測器

更新時間：2023-08-18

簡要描述：

光侵入式室溫型HgCdTe探測器
室溫下工作；無需偏置；響應(yīng)時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計。

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產(chǎn)品介紹：

光侵入式室溫型HgCdTe探測器簡介：

PVI-n（n表示特性波長，單位是微米）系列探測器是紅外光電探測器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標(biāo)準(zhǔn)）或者半球透鏡（可選）進行光浸入。這些裝置在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以達到好的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。

光侵入式室溫型HgCdTe探測器規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	LD-PVI-3	LD-PVI-4	LD-PVI-5	LD-PVI-6	LD-PVI-8
特性波長λop	μm	3	4	5	6	8
探測率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥5E10 ≥5E10	≥3E10 ≥2E10	≥1.5E10 ≥9E9	≥8E9 ≥4E9	≥8E9 ≥4E8
響應(yīng)度	A/W	≥0.5	≥1	≥1	≥1	≥0.3
響應(yīng)時間τ	ns	≤350	≤150	≤120	≤80	≤4
響應(yīng)時間τ(加反向偏壓)	ns	≤3	≤1	≤0.7	≤0.5	≤0.7
并聯(lián)電阻-光學(xué)面積	Ω·cm 2	≥100	≥6	≥1	≥0.2	≥0.01
光學(xué)面積（長×寬）或直徑(圓形)	mm x mm mm	0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3
工作溫度	K	300
視場, F#	deg	36, 1.62

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