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按照不同波段來區分光電探測器，可以分為幾類？

　　光電探測器在光通信系統中實現將光轉變成電的作用，這主要是基于半導體材料的光生伏應，所謂的光生伏應是指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。(光電導效應是指在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態過度到自由狀態，而引起材料電導率的變化的象。即當光照射到光電導體上時，若這個光電導體為本征半導體材料，且光輻射能量又足夠強，光電材料價帶上的電子將被激發到導帶上去，使光導體的電導率變大是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象，光子作用于光電導材料，形成本征吸收或雜質吸收，產生附加的光生載流子，從而使半導體的電導率發生變化，產生光電導效應。)

　　按照光電探測器不同波段來區分它們，可分為紫外光探測器、可見光探測器以及紅外光探測器，這些探測器的材料可分為碳化硅探測器、硅探測器、鍺探測器、銦鎵砷探測器、硒化鉛探測器、碲鎘汞探測器等。

　　1.碳化硅探測器（SiC）

　　光譜響應：0.2-0.4um；可應用于火焰探測和控制、紫外測量、控制殺菌燈光和醫療燈光控制等領域。

　　2.硅探測器（Si）

　　光譜響應：0.3-1.0um；可應用于工業的控制系統、氣體分析、熱傳感器以及光纖測試設備中。

　　3.鍺探測器（Ge）

　　光譜響應：0.8-1.8um；可應用于光功率計（OPM）、LED/LD老化及特性診斷、光譜學以及眼睛安全激光探測傳感器等領域。

　　4.銦鎵砷探測器（InGaAs）

　　光譜響應：0.9-2.7um；可應用于氣體分析、近紅外FTIR、近紅外熒光光譜、血液分析、光通訊以及光功率測量等領域。

　　5.硫化鉛探測器（PbS）光導

　　光譜響應：1.0-3.0um；可應用于氣體檢測、光學測溫、光度計、濕度分析儀以及醫療氣體分析等領域。

　　6.銻化銦探測器（InSb）

　　光譜響應：1-5.5um；可用于熱成像、熱追蹤制導、輻射計、光譜以及FTIR等領域。

　　7.碲鎘汞探測器（HgCdTe）

　　光譜響應：0.5-5.5um/2-26um；可用于熱成像，二氧化碳激光探測，FTIR，制導，光譜探測等領域。

更新更新時間：2021-04-25

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